Data Sheet PG10676EJ01V0DS
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NE3510M04
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on our web site in a form (S2P) that enables direct import to a
microwave circuit simulator without keyboard input.
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[RF and Microwave] `
[Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/microwave/index.html
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相关PDF资料
NE3511S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3514S02-A
HJ-FET NCH 10DB S02
NE3515S02-T1C-A
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3517S03-A
FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
NE3520S03-A
FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
NE5500234-T1-AZ
MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89
NE5511279A-A
MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
相关代理商/技术参数
NE3511S02
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3511S02-A
功能描述:射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3511S02-T1C
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3511S02-T1C-A
功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3511S02-T1D
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3511S02-T1D-A
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3512S02
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3512S02-A
功能描述:射频GaAs晶体管 C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: